Numerische Simulation von Halbleitern und Schaltkreisen

• Teilprojekt 4.1: Effiziente numerische Simulation neuer Effekte in integrierten Schaltungen

  • A) Numerische Simulation von integrierten Schaltungen unter Berücksichtigung von Rauschquellen
    • Prof. Bulirsch (TUM)
    • Dr. Gilg (Siemens AG)

  • B) Numerische Simulation von Leitbahneffekten in hochintegrierten elektrischen Schaltungen
    • Prof. Bulirsch (TUM)
    • Dr. Gilg (Siemens AG)

• Teilprojekt 4.2: Modellierung und numerische Simulation in der Hochleistungstechnologie für Halbleiter

  • A) TCAD-Simulation von hochfrequenzgetriebenen Niederdruck-Plasmaentladungen
    • Prof. Bulirsch (TUM)

  • B) Elektrothermische Simulation leistungselektronischer Bauelemente
    • Prof. Hoppe (UA)

  • C) Thermodynamische Modellierung und Simulation integrierter Mikrostrukturen
    • Prof. Wachutka (TUM)

• Teilprojekt 4.3: Parallele Numerik in der Prozeßsimulation

  • A) 3D-Diffusion bei nicht-planaren Rändern
    • Prof. Ryssel (FAU)

  • B) Gekoppelte Dioffusions- und Oxidationsprozesse in 3D
    • Prof. Hoffmann (TUM)

   FORTWIHR-Homepage